[发明专利]多晶硅薄膜的沉积方法在审
| 申请号： | 201910056864.8 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109778141A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 顾武强;姜波;张凌越 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/24;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅薄膜的沉积方法，包括：将基板放置于用于沉积多晶硅薄膜的设备内；向设备内通入硅烷，对基板进行多晶硅薄膜沉积，所述多晶硅薄膜的材料为掺杂磷多晶硅；停止通入硅烷；向设备内通入磷烷并持续一定的时间；停止通入磷烷，将基板从设备内取出。在本发明提供的多晶硅薄膜的沉积方法中，多晶硅薄膜沉积结束后，关闭硅烷，将磷烷以设定的流量继续通入设备内，通入的磷烷分解出磷掺杂到硅当中，可以改善结晶颗粒的尺寸的均匀性，从而减少多晶硅薄膜上的颗粒缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅薄膜 沉积 磷烷 硅烷 沉积多晶硅薄膜 基板放置 结晶颗粒 颗粒缺陷 从设备 对基板 多晶硅 均匀性 磷掺杂 基板 掺杂 取出 分解 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜的沉积方法，其特征在于，包括：将基板放置于用于沉积多晶硅薄膜的设备内；向设备内通入硅烷，对基板进行多晶硅薄膜沉积，所述多晶硅薄膜的材料为掺杂磷多晶硅；停止通入硅烷；向设备内通入磷烷并持续一定的时间；停止通入磷烷，将基板从设备内取出。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
