[发明专利]多晶硅薄膜的沉积方法

说明书

本发明提供了一种多晶硅薄膜的沉积方法，包括：将基板放置于用于沉积多晶硅薄膜的设备内；向设备内通入硅烷，对基板进行多晶硅薄膜沉积，所述多晶硅薄膜的材料为掺杂磷多晶硅；停止通入硅烷；向设备内通入磷烷并持续一定的时间；停止通入磷烷，将基板从设备内取出。在本发明提供的多晶硅薄膜的沉积方法中，多晶硅薄膜沉积结束后，关闭硅烷，将磷烷以设定的流量继续通入设备内，通入的磷烷分解出磷掺杂到硅当中，可以改善结晶颗粒的尺寸的均匀性，从而减少多晶硅薄膜上的颗粒缺陷。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种多晶硅薄膜的沉积方法。

背景技术

运用LPCVD(低压力化学气相沉积法)技术沉积掺杂磷多晶硅薄膜已经广泛用于VLSI(超大规模集成电路)制造。LPCVD具有沉积温度低，薄膜成分和厚度易控，薄膜厚度与沉积时间呈正比，均匀性与重复性好，台阶覆盖能力好，操作方便等优点。LPCVD使用炉管机台批处理工艺，一次可将一百片或一百五十片晶圆放在垂直的晶舟上，在设定时间内将固定量的特殊反应气体从反应腔底部或喷射石英管通入反应炉内，在全部的晶圆表面同时沉积薄膜。

但是，目前掺杂磷多晶硅薄膜沉积浮栅工艺中，可能出现颗粒缺陷问题，这些颗粒缺陷在掺杂磷多晶硅薄膜沉积后无法通过当站加扫出来，造成对产品质量的影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多晶硅薄膜的沉积方法，能够减少薄膜表面的颗粒缺陷。

为了达到上述目的，本发明提供了一种多晶硅薄膜的沉积方法，包括：

将基板放置于用于沉积多晶硅薄膜的设备内；

向设备内通入硅烷，对基板进行多晶硅薄膜沉积，所述多晶硅薄膜的材料为掺杂磷多晶硅；

停止通入硅烷；

向设备内通入磷烷并持续一定的时间；

停止通入磷烷，将基板从设备内取出。

可选的，在所述的多晶硅薄膜的沉积方法中，所述硅烷为特气硅烷。

可选的，在所述的多晶硅薄膜的沉积方法中，所述基板包括晶圆。

可选的，在所述的多晶硅薄膜的沉积方法中，多晶硅薄膜沉积的温度为400摄氏度-600摄氏度。

可选的，在所述的多晶硅薄膜的沉积方法中，所述沉积多晶硅薄膜的设备为加热炉管。

可选的，在所述的多晶硅薄膜的沉积方法中，向设备内通入硅烷的流量为200sccm-20000sccm。

可选的，在所述的多晶硅薄膜的沉积方法中，多晶硅薄膜沉积的时间小于1小时。

可选的，在所述的多晶硅薄膜的沉积方法中，向设备内通入磷烷持续的时间大于10s。

可选的，在所述的多晶硅薄膜的沉积方法中，向设备内通入磷烷的流量为10sccm-500sccm。

可选的，在所述的多晶硅薄膜的沉积方法中，向设备内通入的磷烷的温度400摄氏度-600摄氏度。

在本发明提供的多晶硅薄膜的沉积方法中，将基板放置于用于沉积多晶硅薄膜的设备内；向设备内通入硅烷，对基板进行多晶硅薄膜沉积；停止通入硅烷，对设备内通入磷烷并持续一定的时间；将基板从设备内取出。多晶硅薄膜沉积结束后，关闭硅烷，将磷烷以设定的流量继续通入设备内，通入的磷烷分解出磷掺杂到硅当中，可以改善结晶颗粒的尺寸的均匀性，从而减少多晶硅薄膜上的颗粒缺陷。

附图说明

图1是本发明实施例的多晶硅薄膜的沉积方法的流程图；

图2是现有技术的晶圆上晶粒缺陷示意图；