[发明专利]负正电压转换电路和负压电荷泵环路在审
| 申请号： | 201910056502.9 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109687706A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种负正电压转换电路，包括：输入端都接地的互为镜像的第一和第二镜像电路，输入端都接电源电压的互为镜像的第三和第四镜像电路；第一至三镜像电路的输出端分别连接第一至三NMOS管的漏极，第一至三NMOS管的栅极和第一NMOS管的漏极连接在一起；第一至三NMOS管的宽长比的比值和第一至三镜像电路的电流比值相同。第一和二电阻分别连接在第一和二NMOS管的源极和负电压之间；第二和三NMOS管的源极相连；第三电阻连接在第一NMOS管的源极和地之间；第四电阻连接在输出正电压的第四镜像电路的输出端和地或负电压之间。本发明公开了一种负压电荷泵环路。本发明不需要采用额外的参考电压，能降低电路成本。 | ||
| 搜索关键词： | 镜像电路 源极 电阻连接 转换电路 电荷泵 负电压 输出端 输入端 正电压 负压 漏极 输出正电压 参考电压 电路成本 电源电压 接地 宽长比 电阻 | ||
【主权项】：
1.一种负正电压转换电路，其特征在于，包括：互为镜像的第一镜像电路和第二镜像电路，令所述第一镜像电路的输出端电流为I1，所述第二镜像电路的输出端电流为I2，I2为I1的k1倍；所述第一镜像电路的输入端和所述第二镜像电路的输入端都接地；互为镜像的第三镜像电路和第四镜像电路，令所述第三镜像电路的输出端电流为I3，所述第四镜像电路的输出端电流为I4，I3为I1的k2倍，I4为I1的k3倍；所述第三镜像电路的输入端和所述第三镜像电路的输入端都接电源电压；第一NMOS管的漏极和栅极连接所述第一镜像电路的输出端、第二NMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极；所述第二NMOS管的漏极连接所述第二镜像电路的输出端；所述第三NMOS管的漏极连接所述第三镜像电路的输出端；所述第一NMOS管的源漏电流为I1，所述第二NMOS管的源漏电流为I2，所述第三NMOS管的源漏电流为I3；所述第二NMOS管的沟道的宽长比是所述第一NMOS管的沟道的宽长比的k1倍，所述第三NMOS管的沟道的宽长比是所述第一NMOS管的沟道的宽长比的k2倍，使所述第一NMOS管的源极电压、所述第二NMOS管的源极电压和所述第三NMOS管的源极电压相等；第一电阻连接在所述第一NMOS管的源极和负电压之间；第二电阻连接在所述第二NMOS管的源极和负电压之间，所述第三NMOS管的源极也连接所述第二NMOS管的源极；第三电阻连接在所述第一NMOS管的源极和地之间；第四电阻连接在所述第四镜像电路的输出端和地之间，或者第四电阻连接在所述第四镜像电路的输出端和负电压之间；所述第四镜像电路的输出端输出正电压，所述正电压由k1、k2和k3以及所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻、所述第四电阻以及所述负电压确定。
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