[发明专利]基于柔性二维半导体沟道量子点的存储器及其制备方法

摘要

本发明属于存储器技术领域，具体为基于柔性二维半导体沟道量子点的非易失存储器及其制备方法。本发明在以柔性材料为基础的衬底上利用零维量子点作为电荷俘获层以及二维半导体作为器件沟道，通过电荷的隧穿实现高开关比以及多值存储的功能。本发明制备过程包括：利用原子层沉积技术长的金属氧化物，机械剥离或者化学气相沉积制备的二维材料，以及利用旋涂技术制备的量子点。本发明可以制备具有高开关比、实现多值存储以及非易失特性的新型存储器，开创了一个二维半导体材料与零维量子点结合的新领域，具有广阔的应用前景。

主权项

1.一种基于柔性二维半导体沟道量子点的非易失存储器的制备方法，其特征在于，具体步骤为：（1）在预先准备好的柔性衬底上生长一层金属氧化物；（2）在第一层金属氧化物上制备一层二维材料薄膜作为器件沟道；（3）在第二层二维材料的样品边缘制备特定图像的金属电极；（4）在第二层二维材料与金属电极上生长一层金属氧化物；（5）在第三层金属氧化物上利用旋涂技术制备一层量子点层，作为电荷俘获层；（6）在第四层量子点层上生长一层金属氧化物。