[发明专利]基于柔性二维半导体沟道量子点的存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于柔性二维半导体沟道量子点的非易失存储器的制备方法，其特征在于，具体步骤为：

（1）在预先准备好的柔性衬底上生长一层金属氧化物；

（2）在第一层金属氧化物上制备一层二维材料薄膜作为器件沟道；

（3）在第二层二维材料的样品边缘制备特定图像的金属电极；

（4）在第二层二维材料与金属电极上生长一层金属氧化物；

（5）在第三层金属氧化物上利用旋涂技术制备一层量子点层，作为电荷俘获层；

（6）在第四层量子点层上生长一层金属氧化物。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述的柔性衬底为以柔性材料为基础的高掺杂导电衬底。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的二维材料薄膜通过两种方法制备：一种是通过在块状材料上机械剥离的方法直接获取；另一种是通过化学气相沉积生长大面积并可控层数的薄膜。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的二维材料为硒化钨。

5.根据权利要求1-4之一所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述金属电极的制备方法为：采用光刻工艺在样品上将光刻胶曝光成所需的电极图形；然后在样品上淀积金属形成电极。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述光刻工艺为紫外光刻工艺或者电子束光刻工艺；所述淀积金属的方法为物理气相沉积、电子束蒸发或热蒸发；

所述金属为Au、Cr或Pt。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤（5）中所述量子点尺寸小于10纳米。

8.根据权利要求6-8之一所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）、步骤（4）、步骤（6）中所述金属氧化物为氧化铝或氧化铪。

9.根据权利要求6-8之一所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）、步骤（4）、步骤（6）中所述金属氧化物通过原子层沉积技术获得，尺寸小于10纳米。

10.一种由权利要求1-9之一所述制备方法得到的基于柔性二维半导体沟道量子点的非易失存储器。