[发明专利]用于制造流体喷射设备的方法以及流体喷射设备有效
| 申请号： | 201910040227.1 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN110039899B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | D·朱斯蒂;M·费雷拉;C·L·佩瑞里尼;M·卡塔内奥;A·诺梅尔里尼 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B41J2/01 | 分类号： | B41J2/01 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及用于制造流体喷射设备的方法以及流体喷射设备。一种用于制造用于喷射流体的设备的方法，包括步骤：在容置喷射设备的喷嘴的第一半导体晶片中形成第一结构层；去除第一结构层的选择性部分，以形成用于容纳流体的腔室的第一部分；在容置喷射设备的致动器的第二半导体晶片中去除第二结构层的选择性部分，以形成腔室的第二部分；将第一半导体晶片和第二半导体晶片耦合在一起，以便第一部分直接面对第二部分，从而形成腔室。第一部分限定腔室的体积的一部分，体积的该部分大于由第二部分限定的腔室的体积的相应部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 流体 喷射 设备 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造用于喷射流体的设备的方法，所述方法包括：在第一半导体晶片的第一侧处形成第一结构层；去除所述第一结构层的选择性部分以形成腔室的第一部分，同时，将所述第一半导体晶片的喷嘴与所述第一部分流体耦合；在第二半导体晶片中去除第二结构层的选择性部分以形成所述腔室的第二部分，致动器耦合所述第二半导体晶片；以及将所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片耦合在一起，其中所述第一部分面对所述第二部分以形成被配置成容纳所述流体的腔室，所述第一部分限定所述腔室的总体积的第一体积，所述第二部分限定所述总体积的第二体积，所述第一体积大于所述第二体积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司，未经意法半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910040227.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于穿引印刷系统的中间转印构件的装置
- 下一篇：一种开关柜序号喷涂设备
