[发明专利]用于制造流体喷射设备的方法以及流体喷射设备

权利要求书

1.一种用于制造用于喷射流体的设备的方法，所述方法包括：

在第一半导体晶片的第一侧处形成第一结构层；

去除所述第一结构层的选择性部分以形成腔室的第一部分，同时，将所述第一半导体晶片的喷嘴与所述第一部分流体耦合；

在第二半导体晶片中去除第二结构层的选择性部分以形成所述腔室的第二部分，致动器耦合所述第二半导体晶片；以及

将所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片耦合在一起，其中所述第一部分面对所述第二部分以形成被配置成容纳所述流体的腔室，

所述第一部分限定所述腔室的总体积的第一体积，所述第二部分限定所述总体积的第二体积，所述第一体积大于所述第二体积。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体晶片包括衬底和喷嘴层，所述喷嘴层包括所述喷嘴，所述第一结构层在所述喷嘴层上形成，其中去除所述第一结构层的选择性部分以形成所述第一部分包括刻蚀所述第一结构层直到达到所述喷嘴层并且暴露所述喷嘴。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括通过去除所述喷嘴层的选择性部分来形成喷嘴腔，直到到达刻蚀停止层，从而形成开口，所述开口具有与所述刻蚀停止层横切的侧壁。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在去除所述第二结构层的选择性部分之前，在所述第二半导体晶片上形成所述第二结构层；

在所述第二结构层的第一面上形成膜层；以及

在所述膜层上形成所述致动器，所述致动器是压电致动结构，

其中在所述第二半导体晶片中去除所述第二结构层的选择性部分包括在第二面处刻蚀所述第二结构层，所述第二面与所述第一面相对，其中所述膜层被悬置在所述腔室的所述第二部分处。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：

用帽覆盖所述致动器，并且形成腔，其中所述致动器位于所述腔中；

在所述帽中形成通孔；

通过经由所述通孔引入二氧化铪，利用二氧化铪层涂覆所述腔中的至少一个表面；以及

闭合所述通孔。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述第二结构层的厚度减小到小于所述第一结构层的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述腔室的所述第一体积在所述腔室的所述总体积的60％和90％之间。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在第三半导体晶片中形成入口通孔；以及

将所述第二半导体晶片和所述第三半导体晶片耦合在一起，以便所述入口通孔被流体耦合到所述腔室。

9.根据权利要求8所述的方法，其中耦合所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片以及耦合所述第二半导体晶片和所述第三半导体晶片包括形成相应的键合层或双面粘合带的层。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括利用二氧化铪层来涂覆界定所述腔室的表面。

11.一种用于喷射流体的设备，包括：

第一半导体本体，包括喷嘴和第一凹槽，所述第一凹槽限定腔室的第一部分，所述喷嘴被流体耦合到所述第一部分；以及

第二半导体本体，具有膜和第二凹槽，所述第二凹槽限定所述腔室的第二部分，致动器操作性地被耦合到所述膜，

其中所述第一半导体本体和所述第二半导体本体被耦合在一起，以便所述第一部分和所述第二部分共同形成被配置成容纳所述流体的腔室，以及

其中所述第一部分限定所述腔室的总体积的第一体积，并且所述第二部分限定所述腔室的所述总体积的第二体积，所述第一体积大于所述第二体积。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述致动器是操作性地被耦合到所述膜的压电致动结构。