[发明专利]一种高温磁体不可逆磁通损失的精确预测方法有效
| 申请号： | 201910038602.9 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN109711091B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 张天丽;夏伟;蒋成保;王慧 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 安丽;成金玉 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高温磁体不可逆磁通损失的精确预测方法，SmCo高温磁体在高温预稳定处理时所产生的不可逆磁通损失量的准确预测，为了确保高温磁体在长期高温工作状态中提供稳定的磁环境，高温磁体元件在装配到器件中使用之前须进行高温预稳定处理，其导致的不可逆磁通损失，通常只能是永磁元件加热后测磁通才能获知，这为高温应用磁路设计时磁参数的选用带来困难。本发明提出了一种更为简单且有效的方法，可根据磁体形状和永磁退磁曲线计算出磁体元件在特定温度下的不可逆损失量，从而为高温永磁磁路的精确设计提供了可靠的磁参量依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 磁体 可逆 损失 精确 预测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高温磁体不可逆磁通损失的精确预测方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)确定高温磁体将要进行预稳定处理的温度；(2)测量需要进行预稳定处理的高温磁体的元器件在所述预稳定处理的温度下的退磁曲线，并计算出退磁曲线的近线性段曲线斜率；(3)确定出需要预稳定处理的高温磁体的元器件形状，并计算出相应的高温磁体的元器件的退磁因子；(4)将步骤(2)的退磁曲线的近线性段曲线斜率与步骤(3)的退磁因子相乘，即计算得到相应的高温磁体的元器件在所述温度进行预稳定处理后的不可逆磁通损失大小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学，未经北京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910038602.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
