[发明专利]一种半导体材料Cu2O@Au的制备方法及应用在审
| 申请号： | 201910027805.8 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN109675584A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李志华;李娜;郄元元;曹国炜;张敏;罗楠楠 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | B01J23/89 | 分类号： | B01J23/89;B01J35/00 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 郑平 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体材料Cu2O@Au的制备方法及应用，包括：将纳米材料Cu2O在超声条件下分散于含有Au(III)离子及化合物的溶液中，使纳米Cu2O均匀分散，然后在搅拌下陈化一段时间，使纳米Cu2O对金属离子的吸附达到饱和；将上述溶液离心分离，将沉淀即吸附了Au(III)离子及化合物的纳米Cu2O漂洗后搅拌分散在一定浓度的还原剂溶液中，充分反应，然后分离、漂洗、干燥，即得Cu2O@Au纳米半导体复合材料。该方法操作简单，时间短，成本低，环境友好，重复性好，效率高，能快速有效的制备纳米半导体复合材料，具有普适性和规模生产价值。本发明制备的纳米半导体复合材料Cu2O@Au在光降解等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纳米半导体 纳米Cu2O 复合材料 半导体材料 漂洗 吸附 离子 应用 还原剂溶液 超声条件 规模生产 环境友好 搅拌分散 金属离子 纳米材料 溶液离心 光降解 普适性 陈化 沉淀 饱和 | ||
【主权项】：
1.一种半导体材料Cu2O@Au的制备方法，其特征在于，包括：将纳米材料Cu2O在超声条件下分散于含有Au(III)离子及化合物的溶液中，使纳米Cu2O均匀分散，然后在搅拌下陈化一段时间，使纳米Cu2O对金属离子的吸附达到饱和；将上述溶液离心分离，将沉淀即吸附了Au(III)离子及化合物的纳米Cu2O漂洗后搅拌分散在一定浓度的还原剂溶液中，充分反应，然后分离、漂洗、干燥，即得Cu2O@Au纳米半导体复合材料。
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