[发明专利]一种半导体材料Cu2O@Au的制备方法及应用

权利要求书

1.一种半导体材料Cu₂O@Au的制备方法，其特征在于，包括：

将纳米材料Cu₂O在超声条件下分散于含有Au(III)离子及化合物的溶液中，使纳米Cu₂O均匀分散，然后在搅拌下陈化一段时间，使纳米Cu₂O对金属离子的吸附达到饱和；

将上述溶液离心分离，将沉淀即吸附了Au(III)离子及化合物的纳米Cu₂O漂洗后搅拌分散在一定浓度的还原剂溶液中，充分反应，然后分离、漂洗、干燥，即得Cu₂O@Au纳米半导体复合材料。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Cu₂O为纳米半导体材料，其形貌为纳米级或微米级一维、二维、三维状中的一种。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述还原剂为柠檬酸钠或硼氢化钾。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含有Au(III)离子及化合物的盐溶液为HAuCl₄。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含有Au(III)离子及化合物的盐溶液的浓度为0.1～100mg/mL。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还原反应在搅拌条件下进行。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分离的具体方法为离心、过滤、沉降或溶剂蒸发代替。

8.权利要求1-8任一项所述的方法制备的半导体材料Cu₂O@Au。

9.一种贵金属/半导体复合光催化剂，其特征在于，包括：半导体材料Cu₂O@Au。

10.权利要求9所述的半导体材料Cu₂O@Au在光降解领域中的应用。