[发明专利]不含镉的量子点、包括其的量子点-聚合物复合物、和显示装置在审
| 申请号： | 201910026869.6 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110028968A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 章效淑;元裕镐;黄成宇;金智荣;张银珠 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;H01L33/50;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲;王华芹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开不含镉的量子点、包括其的量子点‑聚合物复合物、和显示装置，所述不含镉的量子点包括半导体纳米晶体芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，其中所述量子点不包括镉并且包括铟和锌，所述量子点具有在红色光波长区域中的最大光致发光峰，所述最大光致发光峰的半峰全宽(FWHM)小于或等于约40nm，所述量子点的紫外‑可见吸收光谱在约450nm和第一吸收峰波长之间具有谷部，并且通过以下方程定义的谷深度(VD)大于或等于约0.2：(Abs第一‑Abs谷)/Abs第一＝VD，其中，Abs第一为在第一吸收峰波长处的吸收强度并且Abs谷为在所述谷部的最低点处的吸收强度。所述显示装置包括所述量子点‑聚合物复合物。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 聚合物复合物 显示装置 不含镉 半导体纳米晶体 光致发光峰 吸收峰波长 谷部 半峰全宽 方程定义 红色光波 吸收光谱 吸收 | ||
【主权项】：
1.不含镉的量子点，其包括：半导体纳米晶体芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，其中所述量子点不包括镉，所述量子点包括铟和锌，所述量子点具有在红色光波长区域中的最大光致发光峰，所述最大光致发光峰的半峰全宽(FWHM)小于或等于40nm，所述量子点的紫外‑可见吸收光谱在450nm和第一吸收峰波长之间具有谷部，和通过以下方程定义的谷深度VD大于或等于0.2：(Abs第一‑Abs谷)/Abs第一＝VD其中，Abs第一为在所述第一吸收峰波长处的吸收强度并且Abs谷为在所述谷部的最低点处的吸收强度。
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