[发明专利]不含镉的量子点、包括其的量子点-聚合物复合物、和显示装置

说明书

公开不含镉的量子点、包括其的量子点‑聚合物复合物、和显示装置，所述不含镉的量子点包括半导体纳米晶体芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，其中所述量子点不包括镉并且包括铟和锌，所述量子点具有在红色光波长区域中的最大光致发光峰，所述最大光致发光峰的半峰全宽(FWHM)小于或等于约40nm，所述量子点的紫外‑可见吸收光谱在约450nm和第一吸收峰波长之间具有谷部，并且通过以下方程定义的谷深度(VD)大于或等于约0.2：(Abs_第一‑Abs_谷)/Abs_第一＝VD，其中，Abs_第一为在第一吸收峰波长处的吸收强度并且Abs_谷为在所述谷部的最低点处的吸收强度。所述显示装置包括所述量子点‑聚合物复合物。

对相关申请的交叉引用

本申请要求2018年1月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0003832的优先权和权益，将其全部内容引入本文作为参考。

技术领域

公开量子点、包括其的组合物或量子点-聚合物复合物、和包括该量子点-聚合物复合物的电子装置(例如，显示装置)。

背景技术

量子点(即，纳米尺寸的半导体纳米晶体)可通过控制其尺寸和组成而具有不同的能带隙，并且因此在被(例如，光)激发时可发射多种波长的光。量子点可呈现电致发光和光致发光性质。在化学湿法工艺中，在晶体生长期间使有机材料例如配体、分散剂、或溶剂配位在半导体纳米晶体的表面上以提供具有受控的尺寸和光致发光特性的量子点。量子点的光致发光性质可应用于多种领域中。从环境观点来看，开发能够实现改善的光致发光性质的不含镉的量子点是合乎需要的。

发明内容

一种实施方式提供具有改善的光致发光性质的不含镉的量子点。

另一实施方式提供制造所述不含镉的量子点的方法。

又一实施方式提供包括所述不含镉的量子点的组合物。

再一实施方式提供包括所述不含镉的量子点的量子点-聚合物复合物。

还一实施方式提供包括所述量子点-聚合物复合物的电子装置(例如显示装置)。

在一种实施方式中，不含镉的量子点包括半导体纳米晶体芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳并且不包括镉，其中所述量子点包括铟和锌并且具有在红色光波长区域中的最大光致发光峰，所述最大光致发光峰的半峰全宽(FWHM)小于或等于约40nm，所述量子点的紫外-可见吸收光谱在约450nm和第一吸收峰波长之间具有谷部，并且通过以下方程定义的谷深度(VD)大于或等于约0.2：

(Abs_第一-Abs_谷)/Abs_第一＝VD

其中，Abs_第一为在所述第一吸收峰波长处的吸收强度并且Abs_谷为在所述谷部的最低点处的吸收强度。

所述红色光波长区域可在大于或等于约600nm且小于或等于约650nm的范围内。

所述最大光致发光峰的半峰全宽(FWHM)可小于或等于约39nm。

所述最大光致发光峰的FWHM可小于或等于约38nm。

所述最大光致发光峰的FWHM可小于或等于约37nm。

所述第一吸收峰的半峰半宽(HWHM)可小于或等于约25nm。

所述不含镉的量子点的量子效率(量子产率)可大于或等于约80％。所述不含镉的量子点的量子效率可大于或等于约85％。所述不含镉的量子点的量子效率可大于或等于约88％。