[发明专利]一种OLED微腔结构的制作方法有效
申请号: | 201910026331.5 | 申请日: | 2019-01-11 |
公开(公告)号: | CN109742266B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 韩影;刘威;张建业;刘凤娟;张星 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及OLED高色域显示技术领域,特别涉及一种OLED微腔结构的制作方法。该制作方法包括以下步骤:在基底上形成反射阳极;在反射阳极上形成需求像素所对应厚度的透明导电薄膜层;配合需求像素所对应的像素掩膜板对透明导电薄膜层和反射阳极进行构图以形成需求像素的图案;根据显示需求在得到的结构表面重复上述步骤直至得到显示装置所要求的像素显示结构。本发明提出了一种新的OLED微腔结构制作工艺,选择与透明导电薄膜层构图差异大的反射阳极作为保护一次性制作较厚的透明导电薄膜层,排除了分次制作透明导电薄膜层形成的界面对微腔出射光的影响,同时避免了在对透明导电薄膜层在构图过程中反射阳极被多次刻蚀影响反射率的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 oled 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种OLED微腔结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:在基底上形成反射阳极;在所述反射阳极上形成需求像素所对应厚度的透明导电薄膜层;配合需求像素所对应的像素掩膜板对所述透明导电薄膜层和所述反射阳极进行构图以形成需求像素的图案;根据显示需求在得到的结构表面重复上述步骤直至得到显示装置所要求的像素显示结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910026331.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种柔性显示基板的制备方法
- 下一篇:电池封蜡检测系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择