[发明专利]一种OLED微腔结构的制作方法

说明书

本发明涉及OLED高色域显示技术领域，特别涉及一种OLED微腔结构的制作方法。该制作方法包括以下步骤：在基底上形成反射阳极；在反射阳极上形成需求像素所对应厚度的透明导电薄膜层；配合需求像素所对应的像素掩膜板对透明导电薄膜层和反射阳极进行构图以形成需求像素的图案；根据显示需求在得到的结构表面重复上述步骤直至得到显示装置所要求的像素显示结构。本发明提出了一种新的OLED微腔结构制作工艺，选择与透明导电薄膜层构图差异大的反射阳极作为保护一次性制作较厚的透明导电薄膜层，排除了分次制作透明导电薄膜层形成的界面对微腔出射光的影响，同时避免了在对透明导电薄膜层在构图过程中反射阳极被多次刻蚀影响反射率的问题。

技术领域

本发明涉及OLED高色域显示技术领域，特别涉及一种OLED微腔结构的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，显示设备显示色彩的丰富度越来越受到重视，希望显示设备可以表现出更丰富多彩的颜色，能够重显自然界的原始色彩，使观看效果更加富有现场感和自然感，因此高色域显示技术方案显得尤为重要。为实现高色域显示，很多显示器件采用微腔结构搭配彩膜，并通过控制谐振腔之间的距离实现RGB高色域显示。

目前，大尺寸OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)制作中经常采用WOLED(White Organic Light-Emitting Diode，白光有机发光二极管)+CF(Colorfilter，彩色滤光片)技术架构。这种结构具有有机EL(Electro-Luminescence，发光电子板)材料利用率高、对蒸镀EL的mask(掩膜板)要求低、采用顶发射的EL提高开口率等优点。

然而，目前显示设备对覆盖色域要求越来越高，通常利用微腔结构与彩膜的结合可以提高显示色域，举例说明，具体通过R、G、B像素阳极采用不同厚度透明导电薄膜层实现不同腔长制作，包括以下步骤：

1、TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)制作完成后制作R、G、B反射阳极；

2、制作一层透明导电薄膜层并图形化，记为第一透明导电薄膜层，对应R像素；

3、在第一透明导电薄膜层上制作一层透明导电薄膜层并图形化，记为第二透明导电薄膜层，对应R、G像素；

4、在第二透明导电薄膜层上制作一层透明导电薄膜层并图形化，记为第三透明导电薄膜层，对应R、G、B像素。

最终得到三种不同厚度的透明导电薄膜层，其中，第一透明导电薄膜层为B像素，第二透明导电薄膜层为G像素，第三透明导电薄膜层为R像素。但是，这种制造方法制备的结构中透明导电薄膜层间的界面会对出射光效率、光谱等产生影响。

发明内容

本发明公开了一种OLED微腔结构的制作方法，用于排除分次制作透明导电薄膜层形成的界面对微腔出射光的影响。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种OLED微腔结构的制作方法，包括以下步骤：

在基底上形成反射阳极；

在所述反射阳极上形成需求像素所对应厚度的透明导电薄膜层；

配合需求像素所对应的像素掩膜板对所述透明导电薄膜层和所述反射阳极进行构图以形成需求像素的图案；

根据显示需求在得到的结构表面重复上述步骤直至得到显示装置所要求的像素显示结构。

上述制作方法提出了一种新的OLED微腔结构制作工艺，选择与透明导电薄膜层构图差异大的反射阳极作为保护一次性制作较厚的透明导电薄膜层，排除了分次制作透明导电薄膜层形成的界面对微腔出射光的影响，同时避免了透明导电薄膜层在构图过程中反射阳极被多次刻蚀影响反射率的问题。