[发明专利]一种纳米CdS/Si异质结的制备方法有效
| 申请号： | 201910023858.2 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109698257B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李勇;姬鹏飞;宋月丽;周丰群;田明丽;袁书卿 | 申请（专利权）人： | 平顶山学院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/074 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人： | 石丹丹 |
| 地址： | 467000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种纳米CdS/Si异质结的制备方法，该方法利用磁控溅射技术和溶剂热法，首先以单晶硅片为衬底，利用磁控溅射技术在Si片上沉积金属Cd，制备出纳米结构Cd/Si，然后利用溶剂热法腐蚀金属Cd制备纳米CdS/Si异质结。本发明简单、高效，易于调控，且重复率达到100％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 cds si 异质结 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米CdS/Si异质结的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1，以单晶硅片为衬底，利用磁控溅射技术在Si片上沉积金属Cd，制备出纳米结构Cd/Si；步骤2，利用溶剂热法腐蚀金属Cd制备纳米CdS/Si异质结。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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