[发明专利]一种纳米CdS/Si异质结的制备方法

权利要求书

1.一种纳米CdS/Si异质结的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

步骤1，以单晶硅片为衬底，利用磁控溅射技术在Si片上沉积金属Cd，制备出纳米结构Cd/Si；具体过程为：

步骤101，将清洗干净的单晶硅片放入磁控溅射室的样品支架上，对磁控溅射室抽真空到10^-6Pa，然后向磁控溅射室充入氩气，保持溅射室真空度为10^-1Pa-100Pa；

步骤102，调整Cd靶材和单晶硅片的距离为5.0cm，将样品支架加热到100℃，保持5min，使样品支架上的单晶硅片受热均匀；

步骤103，设置溅射功率40W，打开Cd靶材的挡板，开始溅射，溅射时间180s，制备纳米结构Cd/Si；

步骤104，保持磁控溅射室内压强不变，自然冷却至室温，纳米结构Cd/Si制备完成；

步骤2，利用溶剂热法腐蚀金属Cd制备纳米CdS/Si异质结；具体过程为：

步骤201，配置乙二胺和硫脲的混合溶液，硫脲的浓度为0.001-0.01mol/L；

步骤202，将乙二胺和硫脲的混合溶液移到水热釜中，保持填充度为50％-90％；将纳米结构Cd/Si放入该混合溶液中，将水热釜放入恒温箱中，保持箱内温度80-230℃，设置腐蚀时间60-420min；

步骤203，将水热釜从恒温箱中取出，自然冷却至室温，得到纳米CdS/Si异质结。

2.根据权利要求1所述的纳米CdS/Si异质结的制备方法，其特征在于，所述步骤202中的腐蚀时间设置为240min。

3.根据权利要求1所述的纳米CdS/Si异质结的制备方法，其特征在于，所述步骤202中的腐蚀时间设置为360min。