[发明专利]一种结构紧凑型氮化硅波分复用光子芯片有效
| 申请号： | 201910023555.0 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109581586B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 冯吉军;仲路铭;张福领;曾和平 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学;中国电子科技集团公司第二十七研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/28 |
| 代理公司： | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种结构紧凑型氮化硅波分复用光子芯片，包括硅衬底和依次在硅衬底上制作的二氧化硅缓冲层和氮化硅芯层；芯层上设有上输出端口和下输出端口；波长633纳米和波长1310纳米的TE偏振光，分别从下输出端口和上输出端口输出以实现波长分束。本发明针对波长633纳米可见光和波长1310纳米近红外的TE偏振光，提供一种高消光比的波分复用器件。该器件可将上述的两波长偏振光，分别从上下两个端口输出，且消光比均大于25dB，插入损耗小于1dB。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 紧凑型 氮化 硅波分复 用光 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种结构紧凑型氮化硅波分复用光子芯片，其特征在于，包括硅衬底和依次设置在所述硅衬底上的二氧化硅缓冲层和基于氮化硅的芯层；所述芯层上设置上输出端口和下输出端口；波长633纳米可见光和波长1310纳米的TE偏振光，分别从所述下输出端口和上输出端口输出以实现波长分束。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海理工大学;中国电子科技集团公司第二十七研究所，未经上海理工大学;中国电子科技集团公司第二十七研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910023555.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
