[发明专利]一种结构紧凑型氮化硅波分复用光子芯片有效
| 申请号： | 201910023555.0 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109581586B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 冯吉军;仲路铭;张福领;曾和平 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学;中国电子科技集团公司第二十七研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/28 |
| 代理公司： | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 紧凑型 氮化 硅波分复 用光 芯片 | ||
1.一种结构紧凑型氮化硅波分复用光子芯片，其特征在于，包括硅衬底和依次设置在所述硅衬底上的二氧化硅缓冲层和基于氮化硅的芯层；所述芯层上设置上输出端口和下输出端口；
波长633纳米可见光和波长1310纳米的TE偏振光，分别从所述下输出端口和上输出端口输出以实现波长分束；
所述芯层包括一输入波导、一多模干涉区域波导和一对输出波导；
光束经输入波导传输到所述多模干涉区域波导，之后经所述多模干涉区域波导分别传输到所述输出波导；
其中一所述输出波导上设置所述上输出端口，另一个所述输出波导上设置下输出端口，所述多模干涉区域波导的长度为157微米；所述多模干涉区域波导的长度制作容差范围±1微米。
2.根据权利要求1所述的结构紧凑型氮化硅波分复用光子芯片，其特征在于，所述输入波导包括输入直波导和输入锥形波导；所述输入直波导的输出端与所述输入锥形波导的小端连接；所述输入锥形波导的大端与所述多模干涉区域波导的输入端连接。
3.根据权利要求2所述的结构紧凑型氮化硅波分复用光子芯片，其特征在于，所述输入锥形波导的长度为10微米；所述输入锥形波导的大端、小端的宽度分别为1.7微米和0.7微米。
4.根据权利要求1所述的结构紧凑型氮化硅波分复用光子芯片，其特征在于，所述输出波导包括输出直波导和输出锥形波导；所述输出直波导的输出端与所述输出锥形波导的大端连接；所述输出锥形波导的小端与所述输出直波导的输入端连接。
5.根据权利要求2或4所述的结构紧凑型氮化硅波分复用光子芯片，其特征在于，所述输入直波导和输出直波导的宽度均为0.7微米，所述输入直波导和输出直波导的长度均为10微米。
6.根据权利要求1所述的结构紧凑型氮化硅波分复用光子芯片，其特征在于，所述输出波导和输入波导均偏离所述多模干涉区域波导的中心线1微米。
7.根据权利要求1所述的结构紧凑型氮化硅波分复用光子芯片，其特征在于，所述二氧化硅缓冲层的厚度为3微米。
8.根据权利要求1所述的结构紧凑型氮化硅波分复用光子芯片，其特征在于，所述芯层的厚度为400纳米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海理工大学;中国电子科技集团公司第二十七研究所，未经上海理工大学;中国电子科技集团公司第二十七研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910023555.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
