[发明专利]晶圆表面检测前处理装置及应用其的晶圆表面检测设备在审
| 申请号： | 201910023440.1 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN110838454A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 江德明 | 申请（专利权）人： | 江德明 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙) 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种晶圆表面检测前处理装置，包含：腔室；支撑构件，设置于所述腔室的内部；雾化器，连接于所述腔室的侧面；冷却构件，连接于所述腔室的底部；以及顶盖，设置于所述腔室的顶部。由此，由于本实施例的晶圆表面检测前处理装置包含所述冷却构件，不需要额外加装抽气装置，便可快速地将所述腔室中剩余的氢氟酸收集于底部，相较于先前技术采用抽气的方式能有效节省成本并有效节省时间。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 检测 处理 装置 应用 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
