[发明专利]晶圆表面检测前处理装置及应用其的晶圆表面检测设备

说明书

本发明公开一种晶圆表面检测前处理装置，包含：腔室；支撑构件，设置于所述腔室的内部；雾化器，连接于所述腔室的侧面；冷却构件，连接于所述腔室的底部；以及顶盖，设置于所述腔室的顶部。由此，由于本实施例的晶圆表面检测前处理装置包含所述冷却构件，不需要额外加装抽气装置，便可快速地将所述腔室中剩余的氢氟酸收集于底部，相较于先前技术采用抽气的方式能有效节省成本并有效节省时间。

技术领域

本发明涉及一种晶圆表面检测前处理装置及应用其的晶圆表面检测设备，更特别的是涉及一种用于检测晶圆表面的金属不纯物所使用的晶圆表面检测前处理装置及应用其的晶圆表面检测设备。

背景技术

随着半导体装置于日常生活的普及程度提高以及半导体制程的日益精进，半导体晶圆可容许的金属杂质浓度也越来越低，因而，半导体制程中进行晶圆表面金属杂质分析为不可或缺的检测项目。

一般而言，为通过气相分解(Vapor Phase Decomposition,VPD)技术，先以氢氟酸(Hydrofluoric acid,HF)蚀刻晶圆表面的二氧化硅，待二氧化硅与氢氟酸反应并逸散后，再收集晶圆表面的金属杂质并进行分析。

由于氢氟酸有剧毒，其所释出的氟离子腐蚀力很强，一旦接触、暴露在氢氟酸中可能导致心、肝、肾和神经系统的严重甚至是致命损伤，故一般需于上述检测过程使用的容器加装抽气装置，将未与二氧化硅反应的氢氟酸完全抽离后，才可打开容器对晶圆进行后续检测动作。

然而，加装抽气装置不仅增加成本，等待抽气完成的过程也相当耗时。鉴于此，如何提出一种晶圆表面检测前处理装置，以有效解决前述问题，将是本发明欲积极揭露的地方。

发明内容

本发明的目的在于提出一种用于检测晶圆表面的金属不纯物所使用的晶圆表面检测前处理装置及应用其的晶圆表面检测设备，不需要额外设置抽气设备便能快速收集氢氟酸，能有效解决先前技术由于加装抽气装置而增加成本且耗时的问题。

为达上述目的及其他目的，本发明提出一种晶圆表面检测前处理装置，包含：腔室；支撑构件，设置于所述腔室的内部；雾化器，连接于所述腔室的侧面；冷却构件，连接于所述腔室的底部；以及顶盖，设置于所述腔室的顶部。

于本发明的一实施例中，所述冷却构件为水冷腔体。

于本发明的一实施例中，所述支撑构件由多个支撑柱所组成。

于本发明的一实施例中，所述晶圆表面检测前处理装置的材质为PFA复合塑料。

为达上述目的及其他目的，本发明提出一种晶圆表面检测设备，包含：前述的晶圆表面检测前处理装置；以及检测装置，用于检测经由所述晶圆表面检测前处理装置处理后的晶圆。

借此，由于本实施例的晶圆表面检测前处理装置包含所述冷却构件，不需要额外加装抽气装置，便可快速地将所述腔室中剩余的氢氟酸收集于底部，相较于先前技术采用抽气的方式能有效节省成本并有效节省时间。

附图说明

图1为本发明一实施例的晶圆表面检测前处理装置的示意图。

图2为本发明一实施例的晶圆表面检测前处理装置另一角度的示意图。

图3A～图3C为以氢氟酸对晶圆进行表面处理的各阶段的示意图。

图4为示意本发明一实施例的晶圆表面检测设备的框图。

附图标记：

1 晶圆表面检测设备

100 晶圆表面检测前处理装置

10 腔室

11 可活动侧壁

20 支撑构件