[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201910022474.9 | 申请日: | 2019-01-10 |
公开(公告)号: | CN110931554A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 末代知子;岩鍜治阳子;诹访刚史 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L29/423 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 戚宏梅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 半导体装置具备:半导体部,包括第1导电型的第1半导体层、设置在所述第1半导体层上的第2导电型的第2半导体层、在所述第2半导体层上排列配置的第1导电型的第3半导体层及第2导电型的第4半导体层。半导体装置还具备设置在所述半导体部中且在与所述第1半导体层与所述第2半导体层的层叠方向正交的第1方向上交替地配置的第1控制电极及第2控制电极。所述第1控制电极隔着第1绝缘膜而与所述第2半导体层相对,所述第2控制电极隔着第2绝缘膜而与所述第2半导体层相对。所述第1控制电极及第2控制电极具有位于所述第1半导体层中的下端,所述第1控制电极与第3绝缘膜的一面接触,所述第2控制电极与第3绝缘膜的另一面接触。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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