[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具备：

半导体部，包括第1导电型的第1半导体层、设置在所述第1半导体层上的第2导电型的第2半导体层、选择性地设置在所述第2半导体层上的第1导电型的第3半导体层、以及选择性地设置在所述第2半导体层上且在所述第2半导体层上与所述第3半导体层排列配置的第2导电型的第4半导体层；

第1控制电极，设置在所述半导体部中，隔着第1绝缘膜而与所述第2半导体层相对，具有位于所述第1半导体层中的下端；以及

第2控制电极，设置在所述半导体部中，隔着第2绝缘膜而与所述第2半导体层相对，具有位于所述第1半导体层中的下端，

所述第1控制电极及第2控制电极在与所述第1半导体层与所述第2半导体层的层叠方向正交的第1方向上交替地配置，

所述半导体装置还具备：

第3绝缘膜，设置在所述第1控制电极与所述第2控制电极之间，具有第1面、以及与所述第1面对置的第2面，在所述第1面与所述第1控制电极接触，在所述第2面与所述第2控制电极接触。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第3半导体层及所述第4半导体层在所述第1方向上交替地配置。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第3半导体层包含浓度比所述第1半导体层的第1导电型杂质高的第1导电型杂质，

所述第4半导体层包含浓度比所述第2半导体层的第2导电型杂质高的第2导电型杂质。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第1控制电极隔着所述第1绝缘膜而与所述第3半导体层相对地配置，

所述第2控制电极隔着所述第2绝缘膜而与所述第4半导体层相对地配置。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具备与所述半导体部电连接的第1电极及第2电极，

所述半导体部位于所述第1电极与所述第2电极之间，

所述第2电极与所述第3半导体层及所述第4半导体层相接触且电连接。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具备设置在所述半导体部与所述第2电极之间的层间绝缘膜，

所述第2电极经由设置于所述层间绝缘膜的接触孔而与所述第3半导体层及所述第4半导体层电连接。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述半导体部还具备位于所述第1电极与所述第1半导体层之间、与所述第1电极相接触的第2导电型的第5半导体层，

所述第1电极与所述第5半导体层电连接。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述半导体部还具备设置在所述第1半导体层与所述第5半导体层之间的第1导电型的第6半导体层，

所述第6半导体层包含浓度比所述第1半导体层的第1导电型杂质高的第1导电型杂质。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，

从所述第1电极朝向所述第2电极的第2方向上的所述第5半导体层的层厚比所述第2方向上的所述第6半导体层的层厚薄。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体部还具备设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的第1导电型的第7半导体层，

所述第7半导体层包含浓度比所述第1半导体层的第1导电型杂质高的第1导电型杂质。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1控制电极包含与所述第2控制电极的材料不同的材料。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1控制电极隔着所述第1绝缘膜而与所述第3半导体层相对地配置，

所述第2控制电极隔着所述第2绝缘膜而与所述第4半导体层相对地配置。