[发明专利]一种碳化硅陶瓷光固化成型方法

摘要

本发明涉及一种碳化硅陶瓷光固化成型方法，属于碳化硅陶瓷成型领域。本发明的成型方法，首先将SiC陶瓷粉体、光敏树脂、光引发剂混合球磨，得到分散均匀的SiC浆料；然后利用光固化成型设备打印成SiC陶瓷生坯；再经过热解后使得SiC陶瓷生坯转变成C/SiC坯体；再通过高温渗硅，使Si与C/SiC坯体中的C进行原位反应生成SiC。本发明的成型方法实现了碳化硅陶瓷的光固化成型制备。

主权项

1.一种碳化硅陶瓷光固化成型方法，其特征在于具体成型步骤如下：1)将SiC陶瓷粉体(25vol～40vol％)、光敏树脂(55vol～70vol％)、光引发剂(2wt％～5wt％)混合加入球磨罐中，在行星式球磨机上转速300～400r/min下球磨2～10h，然后加入分散剂(1wt％～5wt％)再球磨1～2h，得到分散均匀的SiC浆料；2)将步骤1)得到的SiC浆料利用光固化成型设备打印成SiC陶瓷生坯；3)将步骤2)得到的SiC陶瓷生坯以3～5℃/min的升温速率，从室温加热至200℃，再以5℃/min的升温速率，从200℃加热至500℃，然后以10℃/min的升温速率，从500℃加热至1200～1300℃，随炉冷却至室温，取出后得到C/SiC坯体；4)将步骤3)得到的C/SiC坯体放入石墨坩埚，并用Si粉包埋，然后置于真空烧结炉中进行反应烧结，升温速率：10℃/min，烧结温度：1500～1600℃，保温时间：1～2h；随炉冷却至室温，取出得到的SiC陶瓷制件；所述光敏树脂为1，6‑己二醇双丙烯酸酯(HDDA)；所述光引发剂为2,4,6‑三甲基苯甲酰基‑二苯基氧化膦(TPO)；所述分散剂为solsperse 17000。