[发明专利]旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法在审
| 申请号： | 201910017046.7 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109742172A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 杨金霖;袁晓;李红波;柳翠;梁海;杨宁;李士正 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学;浙江启鑫新能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，该方法采用的步骤为：N型硅片制绒、正面采用旋涂法旋涂有机硼源后烘干、扩散炉中扩散形成正面轻掺杂发射极、正面BSG激光掺杂形成重掺杂发射极、背面清洗去PSG、背面磷扩散形成磷背场、正反面沉积减反射钝化膜、印刷正背面电极完成电池制作。与现有技术相比，本发明采用旋涂法将硼源涂覆在硅片正面，利用扩散后正面形成的BSG选择性激光掺杂，使得电极下方区域重掺杂硼，有效降低接触电阻，非电极区采用轻掺杂硼减少了正表面的复合，有效提高了电池的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 激光掺杂 硼源 旋涂 选择性发射极 双面电池 发射极 轻掺杂 旋涂法 重掺杂 电极 背面 制作 电池 降低接触电阻 选择性激光 扩散 非电极区 硅片正面 电性能 钝化膜 减反射 扩散炉 磷扩散 有机硼 正背面 正表面 正反面 烘干 背场 涂覆 制绒 沉积 清洗 掺杂 复合 印刷 | ||
【主权项】：
1.旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，该方法采用的步骤为：N型硅片制绒、正面采用旋涂法旋涂有机硼源后烘干、扩散炉中扩散形成正面轻掺杂发射极、正面BSG激光掺杂形成重掺杂发射极、背面清洗去PSG、背面磷扩散形成磷背场、正反面沉积减反射钝化膜、印刷正背面电极完成电池制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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