[发明专利]旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法

权利要求书

1.旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，该方法采用的步骤为：N型硅片制绒、正面采用旋涂法旋涂有机硼源后烘干、扩散炉中扩散形成正面轻掺杂发射极、正面BSG激光掺杂形成重掺杂发射极、背面清洗去PSG、背面磷扩散形成磷背场、正反面沉积减反射钝化膜、印刷正背面电极完成电池制作。

2.根据权利要求1所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，正面旋涂时将制绒甩干后的硅片表面先旋涂一层预湿液，每片预湿液的量为0.3～1ml，然后再旋涂硼源，硼源的量为0.5～2ml，旋转速度为1000～4000r/min，旋转时间为2～10s，最后将硅片在150～300℃条件下烘干5～30s。

3.根据权利要求1所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，将正面旋涂好硼源的硅片放入管式扩散炉中进行高温扩散，扩散温度控制在930～1000℃，形成正面浅掺杂发射极和40～100nm厚度的BSG，扩散后表面方阻控制在80～200ohm/sq。

4.根据权利要求1所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，正面的重掺杂发射极采用BSG激光掺杂法完成，重掺杂发射极区域的方阻控制在10～70ohm/sq。

5.根据权利要求4所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，激光掺杂时采用波长为355nm或532nm的激光，光斑采用方形光斑，激光功率在20W-50W之间，基频为100kHz-360kHz。

6.根据权利要求1所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，正反面沉积的减反射钝化膜为SiN_X、SiO₂、SiO_XN_y、Al₂O₃或TiO₂薄膜中的一种或者多种，厚度为50～100nm。

7.根据权利要求1所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，背面磷掺杂背表面场区域采用高温POCl₃扩散、PECVD沉积PSG退火、离子注入高温退火或丝网印刷磷源高温退火工艺中的其中一种形成。

8.根据权利要求1所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，正面电极和背面电极采用丝网印刷方式形成。

9.根据权利要求8所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，所述正面电极穿过正面减反射钝化膜与重掺杂发射极形成欧姆接触。

10.根据权利要求8所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，所述背面电极穿过背面钝化减反射膜与磷背表面场形成欧姆接触。