[发明专利]光传感半导体单元和光传感半导体阵列有效
| 申请号： | 201910004799.4 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN109904271B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 宇思洋 | 申请（专利权）人： | 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L27/144 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区民治*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种光传感半导体单元，包括：衬底；位于所述衬底之上的第一导电类型的第一掺杂区；位于所述第一掺杂区之上的第二导电类型的第二掺杂区；位于所述第二掺杂区之上的第一导电类型的第三掺杂区；及用于隔离所述第一掺杂区和所述第三掺杂区的隔离结构。形成两个耗尽区，打入到这两个耗尽区的光生载流子才能被内建电场扫出，形成光导电流效应。两个耗尽区的设计比传统二极管一个耗尽区设计在吸收光生载流子的效率上大幅度提高；其次在两个耗尽区之外实施特定偏置电压，能够把两个耗尽扩展区特定的最大化扩展，但不形成穿通效应，这样可以形成不同电压和光生载流子吸收效率数据信息，这能够提高光分辨灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 传感 半导体 单元 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种光传感半导体单元，包括：衬底；位于所述衬底之上的第一导电类型的第一掺杂区；位于所述第一掺杂区之上的第二导电类型的第二掺杂区；位于所述第二掺杂区之上的第一导电类型的第三掺杂区；及用于隔离所述第一掺杂区和所述第三掺杂区的隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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