[发明专利]光传感半导体单元和光传感半导体阵列

权利要求书

1.一种光传感半导体单元，包括：

衬底；

位于所述衬底之上的第一导电类型的第一掺杂区；

位于所述第一掺杂区之上的第二导电类型的第二掺杂区；

位于所述第二掺杂区之上的第一导电类型的第三掺杂区；及

用于隔离所述第一掺杂区和所述第三掺杂区的隔离结构；

其中，第一个PN结形成第一个耗尽扩展区在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区界面处；第二个PN结形成第二个耗尽扩展区在所述第三掺杂区和所述第二掺杂区界面处，且所述第三掺杂区至少部分能受光，使得打入到这两个耗尽区的光生载流子才能被内建电场扫出，形成光导电流效应；且在两个耗尽区之外实施特定偏置电压，能够把两个耗尽扩展区特定的最大化扩展，但不形成穿通效应。

2.如权利要求1所述的光传感半导体单元，其特征在于，还包括阳极电极和阴极电极，所述第一掺杂区电连接到所述阳极电极，所述第三掺杂区电连接到所述阴极电极。

3.如权利要求2所述的光传感半导体单元，其特征在于，所述第一掺杂区包括位于表面的第一导电类型的高浓度电接触掺杂区，所述高浓度电接触掺杂区电连接到所述阳极电极，所述高浓度电接触掺杂区与所述第三掺杂区之间以所述隔离结构相互隔离。

4.如权利要求1所述的光传感半导体单元，其特征在于，所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型，所述衬底具有所述第二导电类型。

5.如权利要求1所述的光传感半导体单元，其特征在于，所述第三掺杂区在所述衬底方向的第一垂直投影落入所述第二掺杂区在所述衬底方向上的第二垂直投影内，所述第一垂直投影的面积小于或者等于所述第二垂直投影的面积。

6.如权利要求1所述的光传感半导体单元，其特征在于，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构。

7.如权利要求1或6所述的光传感半导体单元，其特征在于，所述隔离结构为二氧化硅隔离结构或者场氧化隔离结构。

8.如权利要求1或6所述的光传感半导体单元，其特征在于，所述隔离结构形成于所述第一掺杂区和所述第三掺杂区之间，以及所述光传感半导体单元外侧。

9.如权利要求1所述的光传感半导体单元，其特征在于，还包括覆盖于所述第一掺杂区之上，使所述第三掺杂区至少部分能受光的遮光层。

10.一种光传感半导体阵列，其特征在于，包括阵列排布的多个如权利要求1-9中任一项所述的光传感半导体单元，所述隔离结构还用于隔离各个所述光传感半导体单元之间的所述第一掺杂区和/或所述第三掺杂区。