[发明专利]集成增强型和耗尽型的HEMT及其制造方法

摘要

本发明所提出的集成增强型和耗尽型的HEMT及其制造方法，可以将增强型和耗尽型晶体管集成在一起，有利于增加氮化镓HEMT器件的用途，提高电路的特性，并且为实现单片集成高速数字/模拟混合信号射频电路奠定了基础。同时，利用缓冲层的再生长以及掺杂需求，将杂质产生的电子变为掺杂层的一部分，提高掺杂浓度的同时防止多余的电子对器件产生干扰。

主权项

1.一种集成增强型与耗尽型的HEMT制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成第一缓冲层、第一势垒层和第一沟道层；在所述第一沟道层上形成介质层，并选择性的刻蚀所述介质层、第一沟道层、第一势垒层和第一缓冲层，以暴露出部分第一缓冲层；在暴露出的部分第一缓冲层上进行再生长，依次形成第二缓冲层、第二势垒层和第二沟道层，所述第一势垒层的厚度与所述第二势垒层的厚度不同；去除所述介质层，在所述第一沟道层上形成第一源极、第一漏极和第一栅极，在所述第二沟道层上形成第二源极、第二漏极和第二栅极。