[发明专利]集成增强型和耗尽型的HEMT及其制造方法

权利要求书

1.一种集成增强型与耗尽型的HEMT制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上依次形成第一缓冲层、第一势垒层和第一沟道层；

在所述第一沟道层上形成介质层，并选择性的刻蚀所述介质层、第一沟道层、第一势垒层和第一缓冲层，以暴露出部分第一缓冲层；

在暴露出的部分第一缓冲层上进行再生长，依次形成第二缓冲层、第二势垒层和第二沟道层，所述第一势垒层的厚度与所述第二势垒层的厚度不同；

去除所述介质层，在所述第一沟道层上形成第一源极、第一漏极和第一栅极，在所述第二沟道层上形成第二源极、第二漏极和第二栅极。

2.根据权利要求1所述的集成增强型与耗尽型的HEMT制造方法，其特征在于，所述第一势垒层的厚度为1nm-30nm，所述第二势垒层的厚度大于所述第一势垒层且小于100nm。

3.根据权利要求1所述的集成增强型与耗尽型的HEMT制造方法，其特征在于，所述第二势垒层的厚度为1nm-30nm，所述第一势垒层的厚度大于所述第二势垒层且小于100nm。

4.根据权利要求1所述的集成增强型与耗尽型的HEMT制造方法，其特征在于，在所述选择性的刻蚀所述介质层之前，在所述介质层上形成光刻胶层，并在所述光刻胶层上定义出要刻蚀的区域。

5.根据权利要求1所述的集成增强型与耗尽型的HEMT制造方法，其特征在于，所述第一缓冲层包括与所述第一势垒层接触的第一掺杂层，所述第一势垒层包括与所述第一掺杂层接触的第二掺杂层。

6.根据权利要求1所述的集成增强型与耗尽型的HEMT制造方法，其特征在于，所述第二缓冲层包括与所述第二势垒层接触的第三掺杂层，所述第二势垒层包括与所述第三掺杂层接触的第四掺杂层。

7.根据权利要求6所述的集成增强型与耗尽型的HEMT制造方法，其特征在于，所述再生长过程中，所述第一缓冲层再生长界面上形成由于暴露而引起杂质诱导产生的n型掺杂，第二缓冲层形成之后，所述n型掺杂产生的电子成为第三掺杂层的一部分。

8.根据权利要求1所述的集成增强型与耗尽型的HEMT制造方法，其特征在于，所述介质层材料为氮化硅、二氧化硅和氮氧化硅中的任意一种。

9.一种集成增强型和耗尽型的HEMT，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的第一缓冲层；

位于所述第一缓冲层的部分区域上的第一势垒层和位于所述第一缓冲层的另一部分区域上的第二缓冲层；

位于第一势垒层上的第一沟道层；

位于所述第二缓冲层的第二势垒层和位于所述第二势垒层的第二沟道层，所述第一势垒层的厚度与所述第二势垒层的厚度不同；

以及位于第一沟道层上的第一源极、第一漏极和第一栅极，位于所述第二沟道层上的第二源极、第二漏极和第二栅极。