[发明专利]一种基于FTO/TiO2

摘要

一种基于FTO/TiO2/MoO3异质结的紫外探测器及其制备方法，属于无机半导体光电探测器技术领域。从下到上依次由SiO2/FTO衬底、TiO2纳米线、MoO3纳米层、Ag电极组成；待测的紫外光从SiO2/FTO一侧入射；其中SiO2/FTO衬底的厚度为2～3mm，TiO2纳米线的厚度为2～3μm，MoO3纳米层的厚度为2～5nm，Ag电极的厚度为1～3mm。本发明制备的低暗电流、高光暗抑制比、高响应度的紫外探测器具有操作简单，成本较低，且基底材料均为无机半导体材料、无毒环保的特点，具有一定的发展前景和应用价值，对波长330nm～400nm的紫外线具有良好的检测性能。

主权项

1.一种基于FTO/TiO₂/MoO₃异质结的紫外探测器，其特征在于：从下到上由SiO₂/FTO衬底、在FTO上生长的TiO₂纳米线(3)、在TiO₂纳米线上制备的MoO₃纳米层(4)、在MoO₃纳米层上制备的Ag电极组成，待测的紫外光从SiO₂/FTO衬底一侧入射。