[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201880099571.1 申请日: 2018-11-19
公开(公告)号: CN113056817A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 饭塚新;冈本是英;白滨亮弥 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/473 分类号: H01L23/473;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 第1散热器(51)具有第1内表面(FI1)和第1外表面(FO1),具有第1贯穿孔(TH1)。第2散热器(52)具有:第2内表面(FI2),其是与第1散热器(51)的第1内表面(FI1)之间隔开间隔地配置的;以及与第2内表面(FI2)相反的第2外表面(FO2),具有第2贯穿孔(TH2)。半导体元件(710)配置于第1散热器(51)的第1内表面(FI1)和第2散热器(52)的第2内表面(FI2)之间的间隔内。封装材料(70)在第1内表面(FI1)和第2内表面(FI2)之间的间隔内对半导体元件(710)进行封装。第1中空管(30)将第1贯穿孔(TH1)和第2贯穿孔(TH2)彼此连接,由金属构成。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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