[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201880099571.1 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN113056817A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 饭塚新;冈本是英;白滨亮弥 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/473 | 分类号： | H01L23/473;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置(801)，其具有：
第1散热器(51)，其具有第1内表面(FI1)和与所述第1内表面(FI1)相反的第1外表面(FO1)，所述第1散热器具有所述第1内表面(FI1)和所述第1外表面(FO1)之间的第1贯穿孔(TH1)；
第2散热器(52)，其具有与所述第1散热器(51)的所述第1内表面(FI1)之间隔开间隔地配置的第2内表面(FI2)和与所述第2内表面(FI2)相反的第2外表面(FO2)，所述第2散热器具有所述第2内表面(FI2)和所述第2外表面(FO2)之间的第2贯穿孔(TH2)；
半导体元件(710)，其配置于所述第1散热器(51)的所述第1内表面(FI1)和所述第2散热器(52)的所述第2内表面(FI2)之间的所述间隔内；
封装材料(70)，其在所述第1散热器(51)的所述第1内表面(FI1)和所述第2散热器(52)的所述第2内表面(FI2)之间的所述间隔内对所述半导体元件(710)进行封装；以及
第1中空管(30)，其将所述第1散热器(51)的所述第1贯穿孔(TH1)和所述第2散热器(52)的所述第2贯穿孔(TH2)彼此连接，由金属构成。
2.根据权利要求1所述的半导体装置(801)，其中，
还具有第1绝缘板(731)，该第1绝缘板(731)配置于所述第1散热器(51)和所述半导体元件(710)之间。
3.根据权利要求2所述的半导体装置(801)，其中，
所述第1绝缘板(731)由陶瓷构成。
4.根据权利要求2所述的半导体装置(801)，其中，
所述第1绝缘板(731)由树脂构成。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置(801)，其中，
还具有第2绝缘板(733)，该第2绝缘板(733)配置于所述第2散热器(52)和所述半导体元件(710)之间。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置(801)，其中，
所述第1中空管(30)在面内方向上具有椭圆形状。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置(806)，其中，
所述第1中空管(34)在面内方向上具有多边形形状。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置(808、808V)，其中，
所述第1散热器(51T)的所述第1外表面(FO1)成为具有朝向所述第1贯穿孔(TH1)的锥形状的空间。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置(809)，其中，
所述第1中空管(30T)具有锥形状的内部空间。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其中，
所述第1中空管(30E)和所述第1散热器(51)之间由均匀的材料连续地连接。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置(810)，其中，
所述第1散热器(51)及所述第2散热器(52L)彼此接触。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置(811)，其中，
所述第1中空管(37)具有设置有凹凸构造的内壁。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置(801)，其中，
所述半导体元件(710)具有由碳化硅构成的部分。
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