[发明专利]具有很细节距的三维NOR存储器阵列：装置和方法有效
| 申请号： | 201880090142.8 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN111742368B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | E.哈拉里;S.B.赫纳;W-Y.钱 | 申请（专利权）人： | 日升存储公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种易于制造用于具有20nm或更小的特征尺寸或具有大数目的存储器层的存储器单元的高深宽比三维存储器结构的方法。本发明还提供了沿着有源条带的相同或相对侧的相邻存储器单元之间的改善的隔离。通过在沿着有源条带的相同侧的相邻存储器单元之间引入强电介质屏障膜并通过使有源条带的相对侧的存储器单元交错来提供改善的隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 细节 三维 nor 存储器 阵列 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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