[发明专利]制造具有无载体模腔的扇出型封装的方法在审
| 申请号： | 201880088794.8 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN111712907A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 沈明浩 | 申请（专利权）人： | 迪德鲁科技(BVI)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 郎志涛;董李欣 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州圣克拉拉*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种制造半导体器件的方法，包括模制和固化具有上侧的框架构件，该上侧限定凹口的阵列。然后将半导体管芯在相应的凹口内粘附到框架构件。框架构件的上侧和管芯覆盖有RDL。RDL的形成包括沉积介电材料，介电材料还填充凹口内管芯与框架构件之间的间隙。框架构件能够被模制为其厚度所提供的机械强度能够抵抗在RDL形成期间或其他制造过程期间例如由于管芯的翘曲而导致的管芯损坏。在RDL完成之后，能够从框架构件的下侧去除该过量的框架构件材料，并且能够将结构切割，从而将管芯分成相应的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 有无 载体 扇出型 封装 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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