[发明专利]制造具有无载体模腔的扇出型封装的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供第一模制板和第二模制板，所述第一模制板和所述第二模制板被构造成形成具有多个凹口的模制结构；

在所述第一模制板和所述第二模制板之间分配模制化合物；

将所述第一模制板和所述第二模制板放在一起，以使所述模制化合物在所述第一模制板和所述第二模制板之间成型；

使所述模制化合物固化，从而形成包括多个框架结构的框架构件，所述框架结构限定所述框架构件中的所述多个凹口；

将多个管芯在所述框架构件的相应凹口内粘附到所述框架构件，使得所述多个管芯中的每一个至少部分地被所述多个框架结构中的至少一个包围，其中每个管芯具有相应的有源表面和至少一个相应的集成电路区域；

在所述管芯上和所述框架构件的框架结构上形成再分布层(RDL)，从而形成多管芯面板，其中所述RDL的形成包括在每个管芯与相应的相邻框架结构之间在所述多个凹口中形成介电结构；以及

沿着所述多个框架结构将多层面板切割以获得单独的半导体器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模制化合包含环氧树脂。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述模制化合物的固化包括固化所述环氧树脂。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一模制板和所述第二模制板之间提供离型膜，使得在所述第一模制板和所述第二模制板放在一起之前，所述离型膜位于所述模制化合物与所述第一模制板和所述第二模制板中的至少一个之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述框架构件的所述多个凹口被布置在所述框架构件的第一侧上，并且其中，所述方法进一步包括从所述框架构件的第二侧去除所述框架构件的材料，其中所述第二侧与所述框架构件的所述第一侧相反。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个管芯的每一个包括硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述RDL层包括电连接到相应管芯的导电结构。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供多个模制板，所述多个模制板被构造成形成具有第一凹口和第二凹口的模制结构；

使用所述多个模制板将模制化合物成形；

固化所述模制化合物，从而形成包括多个框架结构的框架构件，所述多个框架结构限定了所述框架构件中的所述第一凹口和所述第二凹口；

将第一管芯和第二管芯分别在所述框架构件的所述第一凹口和所述第二凹口内粘附到所述框架构件，使得所述第一管芯和所述第二管芯中的每一个至少部分地被所述多个框架结构中的至少一个包围，其中所述第一管芯和所述第二管芯中的每一个具有相应的有源表面和至少一个相应的集成电路区域；

在所述第一管芯和所述第二管芯上以及所述框架构件的框架结构上形成再分布层(RDL)，从而形成多管芯面板，其中所述RDL的形成包括在所述第一管芯和所述第二管芯中的每一个与相应的相邻框架结构之间在所述第一凹口和所述第二凹口中形成介电结构；以及

沿着所述多个框架结构将多层面板切割以获得单独的半导体器件。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述模制化合包含环氧树脂。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述模制化合物的固化包括固化所述环氧树脂。

11.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述多个模制板中的至少一个附近提供离型膜，使得在所述模制化合物成型之前，所述离型膜位于所述模制化合物与所述多个模制板中的所述至少一个之间。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述框架构件的所述第一凹口和所述第二凹口被布置在所述框架构件的第一侧上，并且其中，所述方法进一步包括从所述框架构件的第二侧去除所述框架构件的材料，其中所述第二侧与所述框架构件的所述第一侧相反。