[发明专利]薄层电容器及薄层电容器的制造方法在审
| 申请号： | 201880086459.4 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111602216A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 户塚正裕 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
就半导体装置的MIM电容器或MIS电容器而言，在作为电容器的结构要素的上部电极(1)和下部电极(2)之间，作为总膜厚小于100nm的薄层而构成包含非晶质高介电常数绝缘膜(6、6a、6b)、多个SiO |
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| 搜索关键词： | 薄层 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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