[发明专利]制作辐射检测器的方法在审
| 申请号： | 201880086361.9 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN111587388A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 曹培炎;刘雨润 | 申请（专利权）人： | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518071 广东省深圳市南山区桃源街道塘朗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本文所公开的是一种形成辐射检测器的方法。该方法包括形成辐射吸收层，并且将电子层接合到辐射吸收层。电子层包括电子系统，其配置成处理吸收辐射光子时在辐射吸收层生成的电信号。形成辐射吸收层的方法包括：将沟槽形成到半导体衬底的第一表面中；掺杂沟槽的侧壁；在第一表面上形成第一电触点；在半导体衬底的第二表面上形成第二电触点。第二表面与第一表面相对。该方法还包括沿沟槽来切分半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 辐射 检测器 方法 | ||
【主权项】：
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