[发明专利]制作辐射检测器的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

将沟槽形成到半导体衬底的第一表面中；

掺杂所述沟槽的侧壁；

在所述第一表面上形成第一电触点；以及

在所述半导体衬底的第二表面上形成第二电触点，所述第二表面与所述第一表面相对。

2.如权利要求第1项所述的方法，其中，所述半导体衬底包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或者其组合。

3.如权利要求第1项所述的方法，其中，所述沟槽贯穿所述半导体衬底的整个厚度。

4.如权利要求第1项所述的方法，其中，形成所述沟槽包括在所述第一表面上形成掩模，并且蚀刻所述掩模未覆盖的所述半导体衬底的部分。

5.如权利要求第4项所述的方法，其中，所述掩模包括二氧化硅。

6.如权利要求第1项所述的方法，其中，形成所述沟槽包括深反应离子蚀刻。

7.如权利要求第6项所述的方法，还包括通过湿式蚀刻来平整所述侧壁。

8.如权利要求第1项所述的方法，其中，掺杂所述侧壁包括将气体掺杂剂扩散到所述侧壁中。

9.如权利要求第1项所述的方法，其中，掺杂所述侧壁包括将多晶硅沉积到所述沟槽中。

10.如权利要求第9项所述的方法，还包括在沉积所述多晶硅之后掺杂所述多晶硅。

11.如权利要求第1项所述的方法，其中，掺杂所述侧壁包括对所述半导体衬底进行退火。

12.如权利要求第1项所述的方法，其中，所述第二电触点包括分立区。

13.如权利要求第1项所述的方法，还包括通过将第一掺杂区形成到所述第一表面中并且将第二掺杂区形成到所述第二表面中，在所述半导体衬底中形成二极管。

14.如权利要求第13项所述的方法，其中，所述第二掺杂区包括分立区。

15.如权利要求第13项所述的方法，其中，所述第一掺杂区和所述侧壁具有相同掺杂类型。

16.如权利要求第13项所述的方法，其中，所述第二掺杂区和所述第一掺杂区具有相反掺杂类型。

17.如权利要求第1项所述的方法，还包括沿所述沟槽来切分所述半导体衬底。

18.如权利要求第1项所述的方法，还包括将所述半导体衬底接合到另一个衬底(其中或其上包括电子系统)。

19.如权利要求第18项所述的方法，其中，所述电子系统包括：电压比较器，配置成将所述第二电触点的电压与第一阈值进行比较；计数器，配置成记录所述半导体衬底所吸收的辐射的光子的数量；控制器；伏特计；

其中所述控制器配置成从所述电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值的时间开始时间延迟；

其中所述控制器配置成在所述时间延迟到期时使所述伏特计测量所述电压；

其中所述控制器配置成通过将所述伏特计所测量的所述电压除以单个光子对所述第二电触点所引起的电压来确定光子的数量；

其中所述控制器配置成使所述计数器所记录的所述数量增加，所增加幅度为光子的所述数量。

20.如权利要求第19项所述的方法，其中，所述电子系统还包括电容器模块，其电连接到所述第二电触点，其中所述电容器模块配置成收集来自所述第二电触点的载流子。