[发明专利]用于垂直传输场效应晶体管的替换金属栅极工艺在审
| 申请号： | 201880085472.8 | 申请日： | 2018-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111566820A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 李忠贤;杨振荣;鲍如强;H.贾甘纳坦 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成半导体结构的方法，包括：形成设置在衬底的顶表面之上的多个鳍；以及使用替换金属栅极(RMG)工艺从该多个鳍形成一个或多个垂直传输场效应晶体管(VTFET)。围绕VTFET中的给定VTFET的至少一个鳍的栅极包括设置在栅极接触金属层之上的栅极自对准接触(SAC)帽盖层，栅极接触金属层被设置成与至少一个鳍的端部相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 垂直 传输 场效应 晶体管 替换 金属 栅极 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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