[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880083766.7 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111542914A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;方堂凉太;鸭川知世;栃林克明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/363;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/1156;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;李志强 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种通态电流大且可靠性高的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体上的第三绝缘体、第二导电体上的第四绝缘体、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第五绝缘体、位于第五绝缘体上且与第三氧化物重叠的第三导电体、覆盖第一至第五绝缘体、第一氧化物、第二氧化物及第一至第三导电体的第六绝缘体以及第六绝缘体上的第七绝缘体，其中第六绝缘体与第一绝缘体的顶面的一部分、第二绝缘体的侧面、第五绝缘体的侧面、第一至第三氧化物的侧面、第一至第三导电体的侧面及第三导电体的顶面接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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