[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的第二绝缘体；

所述第一绝缘体上的第一氧化物；

所述第一氧化物上的第二氧化物；

所述第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；

所述第一导电体上的第三绝缘体；

所述第二导电体上的第四绝缘体；

所述第二氧化物上的第三氧化物；

所述第三氧化物上的第五绝缘体；

位于所述第五绝缘体上且与所述第三氧化物重叠的第三导电体；

覆盖第一至第五绝缘体、所述第一氧化物、所述第二氧化物、所述第三氧化物及所述第一至第三导电体的第六绝缘体；以及

所述第六绝缘体上的第七绝缘体，

其中，所述第六绝缘体与所述第一绝缘体的顶面的一部分、所述第二绝缘体的侧面、所述第五绝缘体的侧面、所述第一至第三氧化物的侧面、所述第一至第三导电体的侧面及所述第三导电体的顶面接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘体、所述第六绝缘体及所述第七绝缘体各自与所述第二绝缘体相比不容易透过氧和氢中的一方或双方。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘体、所述第六绝缘体及所述第七绝缘体各自与所述第五绝缘体相比不容易透过氧和氢中的一方或双方。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘体及所述第六绝缘体各自是包含铝和铪中的一方或双方的氧化物。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘体及所述第六绝缘体各自是氧化铝。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，

其中所述第七绝缘体包含硅以及氮。

7.一种包括晶体管的半导体装置，所述晶体管包括：

第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的第二绝缘体；

所述第一绝缘体上的第一氧化物；

所述第一氧化物上的第二氧化物；

所述第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；

所述第一导电体上的第三绝缘体；

所述第二导电体上的第四绝缘体；

所述第二氧化物上的第三氧化物；

所述第三氧化物上的第五绝缘体；以及

位于所述第五绝缘体上且与所述第三氧化物重叠的第三导电体，

其中，在所述晶体管的沟道长度方向的截面中，当以所述第一绝缘体的底面的高度为基准时，与所述第二氧化物重叠的区域的所述第三导电体的底面具有比所述第二导电体的顶面低的区域，

并且，在所述晶体管的沟道宽度方向的截面中，当以所述第一绝缘体的底面的高度为基准时，不与所述第二氧化物重叠的区域的所述第三导电体的底面具有比所述第二氧化物的底面低的区域。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘体与所述第二绝缘体相比不容易透过氧和氢中的一方或双方。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘体与所述第五绝缘体相比不容易透过氧和氢中的一方或双方。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘体是包含铝和铪中的一方或双方的氧化物。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘体是氧化铝。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置，

其中所述第一至第三氧化物包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)以及Zn。