[发明专利]具有二醇结构的保护膜形成用组合物在审
| 申请号： | 201880082023.8 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111492312A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 远藤贵文;染谷安信;岸冈高广 | 申请（专利权）人： | 日产化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;G03F7/40;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 马妮楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含分子内含有至少1组彼此相邻的2个羟基的化合物、或其聚合物、以及溶剂，其是在半导体制造中的光刻工艺中，用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异、并可以通过干蚀刻迅速除去的保护膜的组合物，并提供应用了该保护膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 保护膜 形成 组合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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