[发明专利]具有二醇结构的保护膜形成用组合物

权利要求书

1.一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：分子内含有至少1组彼此相邻的2个羟基的化合物、或其聚合物；以及溶剂。

2.根据权利要求1所述的保护膜形成用组合物，所述彼此相邻的2个羟基为1,2-乙二醇结构。

3.根据权利要求1所述的保护膜形成用组合物，所述化合物包含式(1)或式(2)所示的部分结构，

在式(1)和式(2)中，R¹、R²和R³各自为氢原子、或可以被取代的碳原子数1～10的烷基或可以被取代的碳原子数6～40的芳基，R¹可以与R²或R³一起形成环，Z¹和Z²表示1价有机基。

4.根据权利要求3所述的保护膜形成用组合物，在所述式(1)和式(2)中，R¹、R²和R³为氢原子。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的保护膜形成用组合物，其进一步包含交联催化剂。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的保护膜形成用组合物，其进一步包含交联剂。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的保护膜形成用组合物，其进一步包含表面活性剂。

8.一种保护膜，其特征在于，是由权利要求1～7中任一项所述的保护膜形成用组合物形成的涂布膜的烧成物。

9.一种带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，其特征在于，包含将权利要求1～7中任一项所述的保护膜组合物涂布在半导体基板上并进行烧成而形成作为抗蚀剂下层膜的保护膜的工序，且用于半导体的制造。

10.一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：使用权利要求1～7中任一项所述的保护膜形成用组合物在表面可以形成有无机膜的半导体基板上形成保护膜，在所述保护膜上形成抗蚀剂图案，以所述抗蚀剂图案作为掩模对所述保护膜进行干蚀刻而使所述无机膜或所述半导体基板的表面露出，以干蚀刻后的所述保护膜作为掩模，使用半导体用湿蚀刻液对所述无机膜或所述半导体基板进行湿蚀刻并洗涤。