[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置有效
| 申请号： | 201880079413.X | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111466032B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 日野史郎;永久雄一;贞松康史;八田英之;川原洸太朗 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，有时无法充分地降低向活性区域端部的阱区域的双极电流通电，元件的可靠性降低。在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，不使终端区域的阱与源极欧姆连接，相比于形成于活性区域的肖特基二极管密度，使形成于终端区域的肖特基二极管的平面方向的密度更高或者使肖特基二极管之间的平面方向的距离短。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 以及 电力 变换 | ||
【主权项】：
暂无信息
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