[发明专利]在室调节中的抗氧化保护层在审
| 申请号： | 201880079241.6 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111448640A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 赖锋源;龚波;袁光璧;许晨华;巴德里·瓦拉达拉简 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/56;H01L21/67;H01L21/66;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一些示例中，一种用于调节晶片处理室的方法包括：将所述室中的压强设定至预定压强范围；将所述室中的温度设定至预定温度范围；并且将处理气体混合物供应至所述室内的气体分配装置。在所述室内点燃等离子体并且监控所述室中的状态。基于检测到所监控的所述状态到达或越过阈值而实施室调节操作。所述室调节操作可以包括：将预调节膜沉积于所述室的内表面上，将碳氧化硅(SiCO)膜沉积于所述预调节膜上，以及将保护层沉积于所述SiCO膜上。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 中的 氧化 保护层 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
