[发明专利]在室调节中的抗氧化保护层

权利要求书

1.一种用于调节晶片处理室的方法，所述方法包括：

将所述室中的压强设定至预定压强范围内；

将所述室的温度设定至预定温度范围内；

将处理气体混合物供应至所述室内的气体分配装置，其中所述处理气体混合物包括至少包含氧物质以及氦或氩气的气体；

在所述室内点燃等离子体：

监控所述室中的状态；

基于检测到所监控的所述状态到达或越过阈值而实施室调节操作，其中所述室调节操作包括：

将预调节膜沉积于所述室的内表面上，

将碳氧化硅(SiCO)膜沉积于所述预调节膜上，以及

将保护层沉积于所述SiCO膜上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所监控的所述状态包括室缺陷性能。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所监控的所述状态包括膜应力值。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所监控的所述状态包括所述室的所述内表面上的膜累积的厚度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述膜累积的厚度是在0.05至0.5μm(微米)的范围内。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述保护层通过化学气相沉积(CVD)形成。

7.根据权利要求6所述的方法，其中CVD反应中所使用的化学品包括含硅物质。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述含硅物质包括硅烷或乙硅烷。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在沉积所述保护层期间的所述室的所述预定压强范围是在0.1至10Torr的范围内。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在沉积所述保护层期间的所述室的所述预定温度范围是在100℃至600℃的范围内。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述保护层的厚度是在50纳米(nm)至1微米(μm)的范围内。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述碳氧化硅(SiCO)膜沉积于所述预调节膜上和将所述保护层沉积于所述SiCO膜上的所述操作依次重复执行，以在一复合保护膜内形成SiCO膜与保护层的成对层。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述保护层为高碳抗氧化保护层，其包含按重量计，30％至45％的碳。

14.根据权利要求1所述的方法，其还包括在50至的范围内的沉积速率下沉积所述保护层。

15.根据权利要求1所述的方法，其中点燃所述等离子体包括：将500至6000W的范围内的HF功率供应至上电极与下电极中的一者，以及将500至6000W的范围内的LF功率供应至所述上电极与所述下电极中的所述一者。

16.根据权利要求1所述的方法，其中点燃所述等离子体包括：将2000至4000W的范围内的HF功率供应至上电极与下电极中的一者，以及将1000至4000W的范围内的LF功率供应至所述上电极与所述下电极中的所述一者。