[发明专利]在半导体器件和热交换器间产生热界面键合的装置和方法有效
| 申请号： | 201880078874.5 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111448655B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | R·B·伯顿;J·E·希瑟;R·N·杰瑞特;J·P·罗斯 | 申请（专利权）人： | 铟泰公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 将半导体管芯接合到非能动热交换器的方法可以包括：将键合增强剂施加到半导体器件上；产生组件，该组件包括设置在半导体器件上的热界面，以使热界面材料的第一主表面与半导体器件上的键合增强剂相接触，并且热交换器被设置成与热界面材料的第二主表面相接触；以及使组件回流，以使热界面将热交换器与半导体器件键合。实施例可以利用铟与非金属表面键合的能力来形成热界面，这可以通过在一个或两个接合表面上的辅助涂层来增强。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 热交换器 生热 界面 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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