[发明专利]在半导体器件和热交换器间产生热界面键合的装置和方法

权利要求书

1.一种半导体器件组件，包括：

半导体器件；

热交换器；

氧化物种子层，其通过以下方式形成在所述半导体器件的第一表面上：将包括块状液态金属的键合增强剂施加到所述半导体器件的第一表面，并去除所述块状液态金属以在所述半导体器件的所述第一表面上留下所述氧化物种子层；

热界面，其在形成所述氧化物种子层之后设置在所述半导体器件的所述第一表面上，所述热界面包括与所述氧化物种子层相关接触的第一表面和接触所述热交换器的面对表面的第二表面，其中所述半导体器件与所述热交换器键合，而不使用单独的金属化层来将所述热界面与所述半导体器件键合。

2.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中在所述氧化物种子层形成在所述半导体器件的所述第一表面上之后，所述氧化物种子层与所述热界面合金化以形成固态合金。

3.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中所述块状液态金属包括镓。

4.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中所述块状液态金属包括铟。

5.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中所述热界面包括铟金属。

6.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中所述热交换器包括散热器、热扩散器或盖。

7.根据权利要求1所述的半导体器件组件，还包括设置在所述热交换器的所述面对表面上的键合增强剂。