[发明专利]处理单晶硅铸锭以改善激光散射环状/核状图案的方法在审
| 申请号： | 201880076551.2 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111406129A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 池浚焕;郑义成;金正汉;李荣中;赵灿来;崔源进 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江葳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种用于减小单晶硅晶片中的缺陷的大小及密度的方法。所述方法涉及在晶片切割之前使单晶硅铸锭经受退火。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 单晶硅 铸锭 改善 激光 散射 环状 图案 方法 | ||
【主权项】：
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