[发明专利]处理单晶硅铸锭以改善激光散射环状/核状图案的方法

权利要求书

1.一种处理单晶硅铸锭的方法，所述方法包括：

研磨所述单晶硅铸锭，其中所述单晶硅铸锭包括种端、与所述种端相对的尾端和所述种端与所述尾端之间的主体，其中所述主体研磨成恒定直径；

退火所述研磨单晶硅铸锭达足以减小从所述单晶硅铸锭切割的晶片上的局部激光散射缺陷的大小或数目的温度和持续时间；和

将所述退火单晶硅铸锭切割成至少两个单晶硅晶片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中由丘克拉斯基工艺生长所述单晶硅铸锭，且在研磨之前冷却所述单晶硅铸锭。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述单晶硅铸锭的所述主体的所述直径为至少约150mm、至少约200mm、至少约300mm或至少约450mm。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述单晶硅铸锭剪切成一或多个片段的步骤，其中片段的厚度为至少约1cm、至少约10cm或至少约20cm。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述单晶硅铸锭剪切成一或多个片段的步骤，其中片段的厚度小于约1m、小于约50cm或小于约40cm或小于约30cm。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述单晶硅铸锭剪切成一或多个片段的步骤，其中片段的厚度介于约10cm与约30cm之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中从所述退火铸锭切割的每一单晶硅晶片包括：两个主要大体上平行表面，其中一者为所述单晶硅晶片的前表面且其中另一者为所述单晶硅晶片的后表面；圆周边缘，其连结所述单晶硅晶片的所述前表面和所述后表面；中心平面，其在所述单晶硅晶片的所述前表面与所述后表面之间且平行于所述表面；中心轴，其垂直于所述中心平面；和块状区域，其在所述单晶硅晶片的所述前表面与所述后表面之间，其中每一晶片具有如在所述单晶硅晶片的所述前表面与所述后表面之间且沿所述中心轴测量的厚度，其小于约1500微米。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述退火单晶硅铸锭切割成介于约两个单晶硅晶片与约300个单晶硅晶片之间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中将所述退火单晶硅铸锭切割成约300个单晶硅晶片。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在包括氩、氮或氩与氮的组合的环境氛围中退火所述单晶硅铸锭。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在包括氮的环境氛围中退火所述单晶硅铸锭。

12.根据权利要求1所述的方法，其中在本质上由氮构成的环境氛围中退火所述单晶硅铸锭。

13.根据权利要求1所述的方法，其中在至少约600℃的温度下退火所述单晶硅铸锭。

14.根据权利要求1所述的方法，其中在介于约600℃与约1000℃之间的温度下退火所述单晶硅铸锭。

15.根据权利要求1所述的方法，其中在介于约600℃与约900℃之间的温度下退火所述单晶硅铸锭。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述单晶硅铸锭退火达至少约1小时的持续时间。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述单晶硅铸锭退火达介于约1小时与约4小时之间的持续时间。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述单晶硅铸锭退火达约2小时的持续时间。